一、设计原理电路 本设计采用共射-共基（CE-CB）放大电路，利用NPN型三极管作为主要放大元件。信号源的内阻为500欧姆，负载电阻为8欧姆，放大倍数为1000倍。具体电路如下： ``` R1 -
看起来你已经给出了一个共射-共基（CE-CB）放大电路的设计。这个电路由NPN型三极管EBQ39，两个电阻R1和R2，以及电源Vcc组成。
在这个电路中：
- NPN型三极管EBQ39是主要放大元件。
- 信号源的内阻为500欧姆，负载电阻为8欧姆，放大倍数为1000倍。这意味着信号源输出电压在通过R1和R2后，将被放大到1000 * (Vsource - Vload) = 1000 * (Vsource - 8V)。
然而，你给出的电路图似乎不完整，因为C1和C2的位置没有明确指出。通常，共射-共基电路中的集电极电阻C1应该接在负载电阻R2之后，发射极电阻C2应该接在三极管的基极（BE）之前。
如果你能提供更多的信息，比如完整的电路图或者更详细的描述，我将能够提供更准确的帮助。
在这个电路中：
- NPN型三极管EBQ39是主要放大元件。
- 信号源的内阻为500欧姆，负载电阻为8欧姆，放大倍数为1000倍。这意味着信号源输出电压在通过R1和R2后，将被放大到1000 * (Vsource - Vload) = 1000 * (Vsource - 8V)。
然而，你给出的电路图似乎不完整，因为C1和C2的位置没有明确指出。通常，共射-共基电路中的集电极电阻C1应该接在负载电阻R2之后，发射极电阻C2应该接在三极管的基极（BE）之前。
如果你能提供更多的信息，比如完整的电路图或者更详细的描述，我将能够提供更准确的帮助。
